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黑道结果声称1TeFET的性能优于3TeFET。因此,血腥下GAATeMOSFET为最新的亚5纳米器件应用提供了一种可行的方法。本内容为作者独立观点,打天帝国不代表材料人网立场。
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血腥下PaulAlivisato的研究领域可分为三个方向:1.半导体纳米晶物理性质研究与可控合成。
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黑道图3NiTe2超级电容器整流滤波电路测试。论文第一作者为浙江大学材料科学与工程学院博士生汤海潮,血腥下共同第一作者为浙江大学海洋学院博士生夏克泉。
打天帝国图4NiTe2超级电容器调制TENG稳定驱动LED。山口(b-c)TENG与超级电容器基滤波电容共同组成的发电滤波电路实际照片。
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